desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromagnético de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban reles y lineas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAMde 1 Kibibyte, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético.
Primera generación (1946-1958)
Se caracteriza por el uso de las válvulas de vacío. Su velocidad de proceso se mide en mili segundos (10-3); sus circuitos eran semejantes a los empleados entonces en la construcción de radios.
Si comparamos los ordenadores de la primera generación con los actuales, se podría decir que eran lentos, de gran tamaño, inflexibles, con necesidad de controles muy estrictos en cuanto al suministro de energía eléctrica y de aire acondicionado.
Comparados con los equipos electromecánicos tenían enormes ventajas: cuando era un gran volumen de datos el que debía procesarse en cortos periodos de tiempo, el ordenador de aquella primera generación representaba un gran avance sobre cualquier otro tipo de proceso de datos.
Ordenadores de la época: UNIVAC-I de la Sperry Rand, las series 600 y 700 de IBM y el EDVAC.
Segunda generación (1958-1965)
Hasta aquel momento el avance había sido relativamente lento debido a que los ordenadores no sólo eran caros, sino que exigían mucho espacio y abundancia de medios para diseñarlos y fabricarlos. La aparición del transistor, que es un dispositivo en estado sólido capaz de adoptar la forma de pequeños paralelepípedos, hizo cambiar la situación en gran medida.
El transistor surgió en los laboratorios de Bell Telephone en 1948, y se introdujo en los ordenadores en 1958. Las nuevas máquinas fueron más pequeñas y además aumentaron su velocidad de proceso (la velocidad se medía en microsegundos 10-6); sus circuitos eran más sencillos; las memorias se construían con ferrita, lo que permitía reducir el tamaño de la máquina y aumentar su rapidez y capacidad.
Con el ordenador de esta generación se desarrollaron también almacenamientos secundarios con grandes capacidades, impresoras de alta velocidad y, en general, dispositivos de alta velocidad de transmisión (cintas magnéticas).
Aparecieron técnicas matemáticas enfocadas a la resolución de problemas haciendo uso del ordenador y los métodos de recuperación de la información se innovaron. Por todo ello, alrededor del ordenador surgió una nueva ciencia: la Informática.
Ordenadores de la época: 1400 y 1700 de IBM, la 1107 de Sperry Rand y la 3500 de CDC.
Tercera generación (1965-1970)
La aparición de los circuitos integrados fue la revolución de los ordenadores. Los circuitos integrados son del tamaño de los transistores y contienen decenas o centenas de componentes elementales interconectados entre sí. Esto supuso reducir aún más el tamaño de los ordenadores, incrementando el tiempo medio de averías de la unidad central.
La velocidad de ejecución de las operaciones elementales pasó a medirse en nanosegundos (10-9); se desarrollaron dispositivos periféricos más efectivos y unidades de almacenamiento secundario de gran volumen con amplias facilidades de acceso (disco magnético); empezaron a usarse terminales remotas que posibilitaron consultar información instantáneamente desde dichos terminales, así como realizar transacciones.
Ordenadores de la época: Serie 360 de IBM, la Spectra 70 de RCA, la serie 600 de GE, la 200 de Honeywell, la UNIVAC 1108 y la 6600 de CDC.
Cuarta generación
Su desarrollo comenzó en 1971 y continúa hasta la fecha aprovechando los avances conseguidos por la microelectrónica. Los elementos principales de los ordenadores de esta generación son los microprocesadores, que son dispositivos de estado sólido, manufacturados sobre "chips" de silicio que contienen miles de transistores, resistencias y demás elementos de los circuitos electrónicos. Esta densidad de componentes hace que los microprocesadores pertenezcan también a la familia de los circuitos integrados.
Se emplean circuitos integrados de grandes velocidades y se utiliza el arseniuro de galio en lugar del silicio.
Ordenadores de la época: se mantienen los mismos lenguajes de programación y arquitecturas de la generación anterior (IBM 3081 o Fujitsu 380), pero la tecnología VLSI permite desarrollar máquinas como las LIPS.
Quinta generación
El proyecto de esta generación es el de producir ordenadores auténticamente inteligentes, sistemas a los que el usuario se puede dirigir en lenguaje natural y con los cuales se puede conversar
.
TIPOS DE RAM
RAM:
"Random Access Memory", memoria de acceso
aleatorio
Memoria primaria de la computadora, en la que puede
leerse y escribirse información en cualquier momento, pero que pierde la
información al no tener alimentación eléctrica.
EDO
RAM:
"Extended Data Out Random Access Memory",
memoria de acceso aleatorio con salida de datos extendida
Tecnología opcional en las memorias RAM utilizadas
en servidores,
que permite acortar el camino de la transferencia de datos entre la memoria y
el microprocesador.
BEDO
RAM:
"Burst EDO Random Access Memory", memoria
de acceso aleatorio con salida de datos extendida y acceso Burst
Tecnología opcional; se trata de una memoria EDO
RAM que mejora su velocidad gracias al acceso sin latencias a direcciones
contiguas de memoria.
DRAM:
"Dinamic Random Access Memory", memoria dinámica de acceso aleatorio
Es el tipo de memoria mas común y económica,
construida con capacitores por lo que necesitan constantemente refrescar el
dato que tengan almacenado, haciendo el proceso hasta cierto punto lento.
SDRAM:
"Synchronous Dinamic Random Access Memory", memoria dinámica de
acceso aleatorio
Tecnología DRAM que utiliza un reloj para
sincronizar con el microprocesador la entrada y salida de datos en la memoria
de un chip. Se ha utilizado en las memorias comerciales como SIMM, DIMM,
y actualmente la familia de memorias DDR (DDR,
DDR2, DDR3, DDR4, GDDR, etc.), entran en esta clasificación.
FPM
DRAM:
"Fast Page Mode Dinamic Random Access
Memory", memoria dinámica de paginación de acceso aleatorio
Tecnología opcional en las memorias RAM utilizadas
en servidores, que aumenta el rendimiento a las direcciones mediante páginas.
RDRAM:"
Rambus DRAM", memoria dinámica de acceso
aleatorio para tecnología Rambus
Memoria DRAM de alta velocidad desarrollada para
procesadores con velocidad superior a 1 GHz, en esta clasificación se encuentra
la familia de memorias RIMM.
SRAM
/ Caché
:"Static
Random Access Memory", memoria estática de acceso aleatorioMemoria RAM muy
veloz y relativamente cara, construida con transistores, que no necesitan de
proceso de refresco de datos. Anteriormente había módulos de memoria
independientes, pero actualmente solo se encuentra integrada dentro de
microprocesadores y discos duros para
hacerlos mas eficientes.
MEJORES MARCAS DE MEMORIAS RAM
Todos son 2 módulos de 1Gb, CL4 4-4-12, PC2 6400:
A-DATA DIMM kit 2 GB DDR2-800 Vitesta Extreme Edition
Corsair DIMM kit 2 GB DDR2-800 EPP TWIN2X2048-6400C4
Crucial DIMM 2 GB DDR2-800 BL2KIT12864AL804
Crucial DIMM 2 GB Kit Ballistix, BL2K12864AA804
GeIL DIMM kit 2 GB DDR2-800 GB22GB6400C4DC, Black Dragon Series
GeIL DIMM kit 2 GB DDR2-800 GX22GB6400UDC
Kingston HyperX DIMM 2 GB kit Retail, DDR2-800, KHX6400D2LLK2/2G
Kingston HyperX DIMM kit 2 GB DDR2-800 DDR2-800, KHX6400D2LLK2/2GN
A-DATA DIMM kit 2 GB DDR2-800 Vitesta Extreme Edition
Corsair DIMM kit 2 GB DDR2-800 EPP TWIN2X2048-6400C4
Crucial DIMM 2 GB DDR2-800 BL2KIT12864AL804
Crucial DIMM 2 GB Kit Ballistix, BL2K12864AA804
GeIL DIMM kit 2 GB DDR2-800 GB22GB6400C4DC, Black Dragon Series
GeIL DIMM kit 2 GB DDR2-800 GX22GB6400UDC
Kingston HyperX DIMM 2 GB kit Retail, DDR2-800, KHX6400D2LLK2/2G
Kingston HyperX DIMM kit 2 GB DDR2-800 DDR2-800, KHX6400D2LLK2/2GN
No hay comentarios.:
Publicar un comentario